SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств. Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4...

Компьютерная память стандарта DDR5 будет представлена на рынке в 2020 году. По словам научного сотрудника компании SK Hynix Ким Донг-кьюна (Kim Dong-Kyun), первыми в продажу поступят модули оперативной памяти DDR5-5200, обеспечивающие 2-кратный прирост пропускной способности по сравнению с DDR4-2666...