До недавнего времени SK Hynix считалась лидером в сегменте многослойной NAND-памяти со своим 321-слойным чипом. Но накануне Samsung представила прототип, превосходящий этот показатель почти втрое. В сети уже появились первые подробности о новой технологии. По данным ETNews, компания создала экспериментальный 900-слойный чип памяти V-NAND, совместив две пластины по 450 слоёв при помощи технологии Cell Multi-Bonding (CMB). Ожидается, что благодаря ей вскоре начнётся массовое производство SSD высокой ёмкости...