Японская SAIMEMORY, созданная SoftBank в партнёрстве с Intel, сообщила, что государственное агентство NEDO выбрало проект разработки памяти ZAM для субсидирования. Инициатива входит в программу Post-5G Infrastructure Enhancement R&D Project, а значит, часть затрат на создание технологии может быть покрыта за счёт господдержки. ZAM (Z-Angle Memory) рассматривается как возможная альтернатива современной HBM-памяти, которая используется в ИИ-ускорителях и дата-центрах. Разработка строится вокруг вертикальной архитектуры памяти с нетрадиционной компоновкой слоёв...