В полупроводнике, таком как кремний, разница в энергии между верхней частью валентной зоны и нижней частью зоны проводимости называется запрещённой зоной (band gap). Или, другими словами, это количество энергии, измеряемое в электронвольтах (эВ), необходимое для освобождения валентного электрона от его орбиты и перевода его на уровень проводимости. 1 эВ = 1,602 × 10⁻¹⁹ джоулей Джоуль — это единица работы или энергии в системе СИ, равная силе в 1 ньютон, приложенной на расстоянии 1 метра, или току в 1 ампер, протекающему через резистор сопротивлением 1 ом в течение 1 секунды...

Важнейшей характеристикой полупроводниковых материалов является их ширина запрещенной зоны. Напомним, что это диапазон энергий, который отделяет валентные электроны от электронов проводимости в полупроводнике. Чтобы загнать электрон из валентной зоны в зону проводимости, надо сообщить ему энергию, которой хватило бы для того, чтобы пересечь эту реку Стикс, ну т.е. запрещенную зону. Получается, что если у какого-то полупроводника эта зона достаточно широкая (обычно от 3 эВ), то для такого полупроводника будет «естественным» работать в электрических устройствах с большими токами и напряжениями...