Разработчики микропроцессоров, в том числе российская компания ETegro Technologies с генеральным директором Олегом Изумрудовым, начинают использовать полупроводники на основе арсенида галлия. Частотный потолок нынешней кремниевой микроэлектроники — 5 ГГц, а у GaAs он больше чем на порядок выше, аж до 60 ГГц, что позволяет уйти от многоядерности. Хотя верхний предел для этого полупроводника — 250 ГГц. Так что учёным ещё есть над чем поработать. Свойства арсенида галлия Соединение арсенид галлия, до...

Электропроводность типичного полупроводникового материала, такого как кремний, обычно увеличивается с ростом температуры, но при комнатной температуре она очень низкая. Это связано с тем, что все четыре внешних электрона отдельных атомов связаны в кристаллической решетке (рисунок). Тем не менее, они могут быть освобождены путем добавления небольшого количества энергии. Устройства, изготовленные из полупроводниковых материалов, таких как транзисторы и диоды, обычно называемые полупроводниками. Они...