Измерение фотопроводимости легированных веществ/структур
Легирование бором и фосфором используется для многих применений в микроэлектронной промышленности, но до сих пор не было способа проверить однородность данного легирования без прямого контактна с образцами и изменения их свойств из-за необходимости в отжиге. Основная трудность заключалась в том, что легируемая область обычно находится на глубине всего лишь несколько мкм, а дозы самих элементов очень малы. Метод MDP позволяет исследовать такие легированные образцы с высоким разрешением и хорошим разграничением между различными легированными дозами...
Обнаружение p/n-типов проводимости
Из-за высокой концентрации фосфора в исходном некачественном сырье часто наблюдаются изменения в типе проводимости брусков поликристаллического кремния. Следовательно, очень важно обнаруживать такие изменения от p к n проводимости с высоким разрешением, поскольку материал с n-типом проводимости не может использоваться. В фотоэлектрической промышленности иногда используется материал низкого качества с высокой концентрацией фосфора. Фосфор имеет коэффициент разделения (сегрегации) 0.35 и поэтому скапливается в верхней части исходного сырья (последняя часть, которая затвердевает)...