Сотрудники Московского физико-технического института (МФТИ), изучавшие свойства широко исследуемого в мире материала - двухслойного графена, нашли путь к возможному созданию электронных приборов нового типа - быстродействующих энергоэффективных переключателей, химических и биологических сенсоров, а также детекторов излучения, которые невозможно было создать на обычных полупроводниках. Основой всей современной полупроводниковой электроники является так называемый p-n-переход - область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости...

Ученые из Московского физико-технического института (МФТИ) обнаружили, что протекание тока в приборах на двухслойном графене происходит благодаря квантовому эффекту межзонного туннелирования. Открытие может стать основой для создания электронных приборов нового типа — энергоэффективных переключателей, химических и биологических сенсоров, а также детекторов излучения. Базовым блоком всей современной полупроводниковой электроники является p-n-переход. С точки зрения химической технологии, это контакт...