Исследователи из МФТИ, Университета Ж. И. Алфёрова, СПбГУ и Физико-технического института имени Иоффе с коллегами впервые продемонстрировали, что рельеф подложки из гексагонального нитрида бора (h-BN) можно использовать для детерминированного управления формой и расположением нанокристаллов нитрида алюминия (AlN), выращиваемых методом вандерваальсовой эпитаксии. Нитрид алюминия стоит в центре мировых исследований по поиску компактных источников глубокого ультрафиолетового излучения, потому что он обладает очень широкой запрещенной зоной: около 6 эВ...