Биполярные транзисторы с изолированным затвором, более широко известные под названием IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), впервые были изготовлены в США в 1979 году, хотя их концепция родилась намного раньше - она была описана ещё в 1968-м сотрудниками Mitsubishi Electric К. Ямагами и И. Акагири в японском патенте S47-21739. Составная структура IGBT выглядит весьма просто (см. рисунок), но на деле эти силовые электронные приборы представляют собой интегральные схемы, состоящие из сотен тысяч параллельно соединённых транзисторных ячеек...

Краткий обзор развития парадигмы твердотельной электроники. Особое внимание уделено проблемам развития производства ИС во второй половине XX-ого века и перспективам дальнейшего развития в первой половине...