Краткий обзор развития парадигмы твердотельной электроники. Особое внимание уделено проблемам развития производства ИС во второй половине XX-ого века и перспективам дальнейшего развития в первой половине...

Биполярные транзисторы с изолированным затвором, более широко известные под названием IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), впервые были изготовлены в США в 1979 году, хотя их концепция родилась намного раньше - она была описана ещё в 1968-м сотрудниками Mitsubishi Electric К. Ямагами и И. Акагири в японском патенте S47-21739. Составная структура IGBT выглядит весьма просто (см. рисунок), но на деле эти силовые электронные приборы представляют собой интегральные схемы, состоящие из сотен тысяч параллельно соединённых транзисторных ячеек...