Новосибирск. 7 декабря. ИНТЕРФАКС - Ученые Института физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН (ИФП, Новосибирск) и Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" разработали новый класс наноструктур для фотоники, сообщает издание СО РАН "Наука в Сибири". Работа направлена на решение проблемы несовместимости материалов и технологий, которые применяются для создания источников светового излучения, передающего информацию, с кремниевыми схемами регистрации и обработки сигналов...

Интересы участников затрагивали разработку и совершенствование полупроводниковых фотонных устройств, работающих в самых разных диапазонах (ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом), создание интегральной фотоники и материалов для новых оптоэлектронных приложений. Организаторы конференции ― Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) и Новосибирский госуниверситет. Пятидневное мероприятие проходило при содействии Минобрнауки России, Сибирского отделения РАН на территории «Точки кипения – Новосибирск»...