5 дней назад
В Японии разрабатывают накопители сверхплотного хранения
Группа исследователей из Токио совершила прорыв в области хранения данных, разработав принципиально новый подход к созданию запоминающих устройств. Ученые создали структуру на основе ковалентных органических каркасов (COF), где функцию носителей информации выполняют микроскопические молекулярные роторы. В отличие от традиционных полупроводниковых решений, таких как флеш-память NAND, новый кристаллический материал обладает сверхнизкой плотностью, что обеспечивает молекулярным роторам необходимое пространство для вращения и фиксации положения...
1 неделю назад
«Молекулярный прорыв может привести к созданию сверхплотных накопителей данных» Инновации в области материалов открывают перспективы для создания устройств, которые смогут хранить значительно больше данных по сравнению с современными флеш-чипами NAND, при этом занимая тот же объём пространства. Группа ученых во главе с профессором Ёити Мураками из Токийского научно-технического института, представила новую структуру ковалентного органического каркаса (COF). В этой структуре для записи данных используются миниатюрные «молекулярные роторы». Отчет об исследовании был опубликован в издании Journal of the American Chemical Society. В отличие от современных полупроводниковых устройств памяти, разработанный COF-кристалл отличается чрезвычайно низкой плотностью. Это обеспечивает достаточный простор для вращения молекулярных роторов и сохранения их положения. Каждый ротор функционирует подобно переключаемому биту и может стать основой для создания энергонезависимой памяти, аналогичной ПЗУ. Для эффективной работы, роторы должны отвечать ряду требований: реагировать на электрическое поле, сохранять стабильность при комнатной температуре, вращаться без затруднений и быть устойчивыми к высоким температурам. Согласно заявлению исследователей, новый материал соответствует всем четырем условиям. Роторы сохраняют стабильность в обычных условиях, выдерживают нагрев до 150 °C, а сама структура остается неповрежденной при температуре до 400 °C. Переключение ориентации данных также может быть надежно осуществлено под воздействием сильного электрического поля или при нагреве свыше 200 °C. Это первый пример достижения подобных характеристик с использованием COF-материала, что является важным шагом в развитии молекулярной памяти. Несмотря на то, что до появления практических устройств хранения данных на основе этой технологии еще далеко, разработанный подход открывает перспективы для создания гораздо более плотной записи данных, чем это возможно в настоящее время. В дальнейшем, технология молекулярной роторной памяти позволит размещать значительно больший объем информации на чипах меньшего размера, что может оказать влияние на самые разные области, от смартфонов и носимых устройств до интернета вещей.