1 год назад
В ЛЭТИ разработали новый метод исследования полупроводниковых структур для создания перестраиваемых источников ТГц излучения
В молодежной лаборатории микро- и наноэлектроники ЛЭТИ разработали теоретический подход для исследования сверхрешеток для создания приборных структур новых компактных источников ТГц излучения, работающих при комнатной температуре. Полупроводниковыми сверхрешетками (CР) называют полупроводниковые гетероструктуры с периодом, превышающим постоянную кристаллической решетки. Несмотря...
2806 читали · 4 месяца назад
Эволюция полупроводников: от германия к кремнию
Почему кремний вытеснил германий в электронике? Начало – историческое введение Начало серьезных исследований полупроводников относится к 1833 году, когда английский физик Майкл Фарадей, работая с сульфидом серебра обнаружил, что проводимость полупроводников растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается. В конце XIX века были установлены три важнейших свойства полупроводников: 1. Появление ЭДС при освещении полупроводника. 2. Рост электрической проводимости полупроводника при освещении...