1 год назад
В ЛЭТИ разработали новый метод исследования полупроводниковых структур для создания перестраиваемых источников ТГц излучения
В молодежной лаборатории микро- и наноэлектроники ЛЭТИ разработали теоретический подход для исследования сверхрешеток для создания приборных структур новых компактных источников ТГц излучения, работающих при комнатной температуре. Полупроводниковыми сверхрешетками (CР) называют полупроводниковые гетероструктуры с периодом, превышающим постоянную кристаллической решетки. Несмотря...