Автор: Алексеев Виктор Во второй части статьи, опубликованной в журнале «Современная электроника» № 9, 2024, были описаны основные научные достижения группы Жореса Алферова в 1960-х – 1970-х годах в области разработки двойных гетероструктур и создания на их основе полупроводниковых инжекционных ДГС-лазеров. В этой части рассмотрены основные работы этих учёных, посвящённые разработкам гетерогенных лазеров на базе квантовых плоскостей и квантовых проволок. К концу 1970-х стремительный рост разработок полупроводниковых лазеров на базе двойных гетероструктур заметно снизился...