Ранее я писал статью про кристаллические решетки полупроводников, если вы пропустили ее, то можете перейти по этой ссылке. Сегодня мы с вами будем разбираться в одной из самых важных тем в физике полупроводников - зонная теория. Если вы хотите на хорошем уровне понимать принципы работы полупроводниковых устройств, то вам необходимо хорошо разобраться с этой темой. Итак, начнем. Рассмотрение начнем с некоторого упрощения: будем рассматривать одномерную решетку, то есть просто цепочку атомов кремния...

В полупроводнике, таком как кремний, разница в энергии между верхней частью валентной зоны и нижней частью зоны проводимости называется запрещённой зоной (band gap). Или, другими словами, это количество энергии, измеряемое в электронвольтах (эВ), необходимое для освобождения валентного электрона от его орбиты и перевода его на уровень проводимости. 1 эВ = 1,602 × 10⁻¹⁹ джоулей Джоуль — это единица работы или энергии в системе СИ, равная силе в 1 ньютон, приложенной на расстоянии 1 метра, или току в 1 ампер, протекающему через резистор сопротивлением 1 ом в течение 1 секунды...