Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод.
Электроника Чарльза Шулера. Глава 3-1. Электронно-дырочный или PN-переход.
Основное применение полупроводниковых материалов P- и N-типа — это диоды. На рис. 3-1 показано представление PN-переходного диода. Обратите внимание, что он содержит область P-типа со свободными дырками и область N-типа со свободными электронами. Структура диода непрерывна от одного конца до другого. Это один цельный кристалл кремния. Другие типы, называемые барьерными диодами, рассматриваются далее в этой главе. Переход, показанный на рис. 3-1, — это граница или разделительная линия, которая отмечает конец одной области и начало другой...
Особенности строения полупроводников. p-n переход и его свойства
Твёрдые вещества по их способности проводить электрический ток делятся на три группы: проводники (металлы), диэлектрики (изоляторы) и полупроводники. По способности проводить электрический ток и зависимости электропроводности от температуры полупроводники значительно ближе к диэлектрикам, чем к проводникам. Причины такого сходства диэлектриков и полупроводников в построении их атомной структуры. Атом вещества состоит из ядра и вращающихся вокруг него электронов. Ядро имеет положительный заряд, а электроны — отрицательный...