Команда из Нанкинского университета представила в журнале новый тип сегнетоэлектрического транзистора, в котором атомно тонкие слои материалов могут слегка «скользить» относительно друг друга. Этот подход открывает путь не только к переключению между двумя состояниями, но и к тонкой многозначной настройке, критически важной для нейроморфных режимов работы. В основе устройства лежит гетероструктура из графена и гексагонального нитрида бора. Эти двумерные материалы уложены слоями так, что их кристаллические решётки немного не совпадают, создавая характерный муаровый рисунок...