Американские ученые сообщили о создании нового полупроводника с самой широкой запрещенной зоной среди всех полупроводников в действующих электронных устройствах — более семи электрон-вольт (эВ). В его основе — оксид алюминия-галлия, легированный кремнием и выращенный на сапфировой подложке...