Тот, кто в первый раз сталкивается с IGBT транзисторами и поиском про них информации, может по аналогии с биполярными и полевыми транзисторами пытаться найти два противоположных типа проводимости (n-p-n/p-n-p или n-канальный компонент и p-канальный) этих транзисторов. Поиск в интернете будет выдавать только n-канальный вариант данного типа транзистора. И действительно, IGBT транзисторы выпускаются только одного типа проводимости – n-канальные! Схему подключения этого транзистора можно видеть на картинке, приложенной к данному посту. Пороговое напряжение, при котором этот компонент начинает открываться, примерно такое же, как и у полевых МОП транзисторов, и в среднем равно 4 вольта. Если говорить о их целесообразности практического применения, то это, прежде всего, схемы с большими мощностями. Обычно рекомендуют использовать IGBT транзисторы в устройствах, где величина рабочего напряжения превышает 500V, и номинальный ток более 10А. Это связано с тем, что при меньших токах и напряжениях у IGBT транзистора будут ощутимые потери, и проигрыш по своих характеристикам в сравнении с теми же полевыми транзисторами и биполярными. В силу того, что обычно его используют в качестве ключа, то часто данный компонент ставят вместо классических тиристоров. Но, стоит учитывать, что у данного типа транзистора относительно невысокая скорость включения и выключения! Хотя для таких устройств как например сварочный инвертор IGBT транзисторы являются просто идеальным схематическим решением.