Фемтосекундная лазерная кристаллизация ультратонких пленок а-Ge в многослойных структурах с кремниевыми слоями Ультракороткий импульсный лазерный отжиг — эффективный метод кристаллизации аморфных полупроводников. В статье рассматривается кристаллизация многослойной структуры из чередующихся аморфных плёнок кремния и германия с помощью лазерных импульсов средней инфракрасной области...

Кристаллизация сверхтекучего гелия-4 (He-II) — это экзотический фазовый переход, происходящий в условиях экстремального холода и высокого давления. В отличие от подавляющего большинства веществ, гелий остается жидким вплоть до абсолютного нуля при атмосферном давлении. Чтобы заставить его затвердеть, требуется **огромное давление** (выше ~2.5 МПа или 25 атмосфер) при температурах ниже ~1.5 К. **Почему это уникально и сложно:** 1. **Сопротивление затвердеванию:** Атомы гелия обладают исключительно слабыми межмолекулярными силами (ван-дер-ваальсовыми) и чрезвычайно малым атомным весом...