Российские учёные облучили ионами ксенона фторированный графен, удалив фтор и создав проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. После чего были созданы мемристоры — элементы памяти, которые применяются для создания гибких датчиков в носимой электронике и прочих отраслях. Работу провели сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), научной группы под руководством доктора наук Ирины Антоновой, Объединённого института ядерных исследований (ОИЯИ), Новосибирского государственного технического университета, Университета Николая Коперника (Польша)...