«Введение в физику зарядовых и размерных эффектов: поверхность, кластеры, низкоразмерные системы» В. В. Погосов Излагаются результаты исследований поверхности; термодинамических и электрофизических характеристик кластеров атомов и кластеров вакансий; кинетических и равновесных свойств низкоразмерных систем и кластерной плазмы паров металлов; процессов рассеяния и локализации позитронов в металлах, жидкостях и кластерах. Рассмотрены деформационная и температурная зависимости работы выхода электронов, размерный эффект потенциала ионизации и энергии прилипания, поверхностного натяжения; локализованные состояний позитронов, которые могут быть использованы при изучении процессов конденсации, испарения, тензоэмиссионных эффектов, а также диагностики радиационных или равновесных дефектов различных сред. Используются аналитические и полуколичественные методы исследования, приводятся модельные оценки, изучаются асимптотики размерно зависящих физических величин. Применение методов иллюстрируется достаточно большим количеством задач из различных областей физики. Для научных работников, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики конденсированного и плазменного состояния, наносистем и микроэлектроники. Рекомендовано УМО вузов Российской Федерации по образованию в области прикладной математики и физики в качестве учебного пособия для студентов, обучающихся по специальностям "прикладная математика и физика". Это и многое другое вы найдете в книге Введение в физику зарядовых и размерных эффектов: поверхность, кластеры, низкоразмерные системы (В. В. Погосов). Напишите свою рецензию о книге В. В. Погосов «Введение в физику зарядовых и размерных эффектов: поверхность, кластеры, низкоразмерные системы» http://izbe.ru/book/3328-vvedenie-v-fiziku-zaryadovyh-i-razmernyh-effektov-poverhnost-klastery-nizkorazmernye-sistemy-v-v-pogosov/

24 апреля исполняется 60 лет Институту физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук был создан 24 апреля 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24.04.64 г.). У истоков создания ИФП СО РАН стоял академик Анатолий Васильевич Ржанов. Он был бессменным директором с 1964 по 1990 год. В настоящее время Институт является исследовательским центром с широким фронтом деятельности в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники. Основные научные направления: • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем; • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро- ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики; • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику. Календарь памятных дат СО РАН