Полупроводники. Электропроводность полупроводников и их свойства
«Электронные свойства дислокации в полупроводниках» Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей. Это и многое другое вы найдете в книге Электронные свойства дислокации в полупроводниках. Напишите свою рецензию о книге «Электронные свойства дислокации в полупроводниках» http://izbe.ru/book/46884-elektronnye-svoystva-dislokacii-v-poluprovodnikah/
Эволюция полупроводников: от германия к кремнию
Почему кремний вытеснил германий в электронике? Начало – историческое введение Начало серьезных исследований полупроводников относится к 1833 году, когда английский физик Майкл Фарадей, работая с сульфидом серебра обнаружил, что проводимость полупроводников растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается. В конце XIX века были установлены три важнейших свойства полупроводников:
1. Появление ЭДС при освещении полупроводника.
2. Рост электрической проводимости полупроводника при освещении...