Первая половина 2026 года ознаменовалась заметным расширением ассортимента силовых компонентов на основе карбида кремния (SiC). Новые решения, представленные Infineon, Bosch, Rohm, Microchip, Allegro MicroSystems и Toshiba, демонстрируют ускоряющийся переход отрасли к широкозонным полупроводникам, которые позволяют повышать энергоэффективность, увеличивать плотность мощности и упрощать архитектуру силовой электроники. Карбид кремния постепенно вытесняет традиционный кремний в приложениях, где предъявляются высокие требования к рабочему напряжению, температуре и частоте переключения...