Паращук Д.Ю. - Физика органических полупроводников - 2. Хим. структура π-сопряженных материалов.Ч.1
ИФП разработает технологию для фотоприемников Зеленоградского нанотехнологического центра.
Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова приступил к разработке новой технологии для производства фотоприемников. Заказчиком данного проекта выступает Зеленоградский нанотехнологический центр. Российский научный фонд выделил средства для поддержки данного проекта. Основной целью разработки является создание технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin-диодов длиной волны 1,31 мкм. Разработка данной технологии будет занимать около двух лет. Финансирование проекта оценивается в 60 млн рублей...
Инфракрасный лазер, работающий на разных длинах волн, создали в России
Новосибирск. 26 января. ИНТЕРФАКС - Специалисты Института физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН (ИФП, Новосибирск) и Института физики микроструктур РАН (ИФМ, Нижний Новгород) создали микродисковый лазер с термоэлектрическим охлаждением для среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых наноструктур теллурида кадмия и ртути, говорится в сообщении ИФП. "Новый ИК-лазер способен работать на разных длинах волн. Полупроводниковый материал для лазера выращен в ИФП СО РАН. Лазер был сделан в Институте физики микроструктур РАН", - говорится в сообщении...