AMG Power объявляет о расширении линейки карбид-кремниевых МОП-транзисторов третьего поколения: представлена модель с напряжением 3300 В, током 80 А и сопротивлением в открытом состоянии 40 мОм – A3G80N3300MT4. Новинка выполнена в стандартном корпусе TO-247-4L с отдельным выводом источника для драйвера, что обеспечивает простоту параллельного включения и стабильность управления в высоковольтных приложениях. Ключевые технические преимущества SiC MOSFET транзистора: Динамические характеристики (при...