Kioxia подтвердила начало поставок инженерных образцов своей новейшей флеш-памяти. В основе технологии — 332 слоя и 1-терабитные ячейки TLC. Массовое производство запустят на заводе в префектуре Ивате, Япония. Фото: Kioxia Скорость интерфейса NAND в новом поколении достигает 4,8 Гбит/с. Это на 33% быстрее, чем у предыдущих решений. Плотность хранения увеличилась на 59%. Энергоэффективность при чтении и записи улучшилась на 30%. В чипах применяют технологии CBA (CMOS непосредственно под массивом) и OPS (выбор затвора на одном шаге)...