20 подписчиков
Ученые из ИОНХ РАН создали высокочувствительный материал на основе пленок арсенида кадмия для сенсоров магнитного поля
Ученые Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН совместно с сотрудниками Университета науки и технологий МИСиС и НИЦ «Курчатовский институт» разработали высокочувствительный материал на основе тонких пленок арсенида кадмия (Cd₃As₂) для сенсоров магнитного поля среднего диапазона от 0.2 до 10 Тл. Выявлено, что структурно совершенная пленка с рекордной толщиной более 4,5 × 10³ нм, полученная методом вакуумного испарения-осаждения арсенида кадмия без дополнительной термообработки материала, обладает сверхпроводимостью и высокой магнитной чувствительностью.
Результаты исследования опубликованы в журнале «Journal of Crystal Growth» и перспективны для фотоэлектроники, спинтроники, компьютерного оборудования, а также квантовых устройств.
Y.B. Nechushkin, A.I. Ril’, M.A. Teplonogova, A.V. Timofeev, M.D. Pavlyuk, S.F. Marenkin. Cd3As2 films of increased thickness by chemical transport”. Journal of Crystal Growth, 2026, 690, 128673. doi.org/...673
Около минуты
18 августа