14 подписчиков
VBGQTA1101 – первый в Китае силовой MOSFET в корпусе с верхним теплоотводом
Новый уровень плотности мощности без усложнения системы охлаждения — VBsemi представила MOSFET в инновационном корпусе TOLT с верхним теплоотводом. Решение снижает тепловое сопротивление до 50% и позволяет рассеивать до 90% больше мощности по сравнению с традиционными корпусами. Как это меняет подход к проектированию силовой электроники — разбираем в материале...
Около минуты
31 марта