9201 подписчик
🌕 Настоящий прорыв в производстве микрочипов на основе набирающего сейчас популярность нитрида галлия (GaN) удалось сделать японской компании Shin-Etsu. Японцы — признанные мировые лидеры в производстве полупроводниковых пластин, на которых впоследствии «печатаются» микрочипы.
🌕 Нитрид галлия относится к составным полупроводникам с широкой запрещённой зоной, с лучшими характеристиками, чем у традиционного кремния: более высокое напряжение пробоя, лучшая температурная стабильность, более высокая подвижность электронов.
🌕 Эти свойства обуславливают применение GaN в радиотехнике и силовой электронике. Главной проблемой в более широком распространении этого инновационного материала всегда являлись сложности с производством подходящей подложки. Какие только подложки не перебирали: от искусственного сапфира до карбида кремния. Дело в том, что кристаллы GaN очень «капризны», и их кристаллическая решётка легко повреждается в процессе выращивания.
🌕 Не так давно американская компания Qromis начала производить керамические подложки QST, которые показали себя с самой хорошей стороны при эпитаксиальном выращивании кристаллов GaN. Но до настоящего времени на их основе удавалось производить только GaN пластины диаметром 150 и 200 мм, но не самые экономически выгодные 300 мм (стандарт, широко распространённый в производстве кремниевых чипов).
🌕 Японскому передовику удалось изготовить 300 мм пластины, уже начались поставки заказчикам тестовых образцов. Это открывает широкую дорогу для полупроводников на нитриде галлия как эффективной замене кремнию в производстве высокоэффективных преобразователей напряжения, силовых МОП-транзисторов, диодов Шоттки и других полупроводниковых устройств.
📷 На фото: Полупроводниковая пластина с чипами. Изображение: Steve Jurvetson, CC BY 2.0, flickr.com/people/44124348109@N01
1 минута
11 сентября 2024