Японцы смогли уместить 4 терабайта памяти в одной микросхеме. Бренд Kioxia представила новейший чип 3D QLC (Quad-Level Cell) NAND.

Производитель заявляет что кристалл предлагает самую высокую ёмкость в отрасли и надеются на огромное будущее разработки в различных сферах, включая развитие AI.

Чип построен на 2-терабитных кристаллах 3D BiCS FLASH 8-го поколения. В одном корпусе памяти использована стековая архитектура из 16 элементов — такое решение помогает хранить на устройстве рекордный объём данных. Архитектура кристаллов состоит из 218 слоёв, что также обеспечивает плотность битов.

Чип можно использовать в высокоёмких SSD и смартфонах, где особенно важно быстродействие. В устройстве реализовали собственную технологию Kioxia: CBA (CMOS directly Bonded to Array). Схема напрямую подключается к массиву, что даёт скорость интерфейса в 3,6 Гбит/с.

По подсчётам Kioxia, на 3D QLC NAND плотность битов выросла ~ в 2,3 раза, а энергоэффективность записи увеличилась примерно на 70%, в сравнении с текущим QLC пятого поколения, также выпущенном японской компанией.

Около минуты

3 июля 2024