Специалисты СПбГЭТУ «ЛЭТИ» и ИФП СО РАН изобрели, синтезировали и протестировали полупроводниковые наноструктуры для оптоэлектроники. Новая технология позволит не использовать такие вредные вещества, как ртуть и мышьяк; сделает процесс производства более экономным. Подробнее на CNews.ru