Найти тему
20 подписчиков

Samsung планирует выпустить HBM4 к 2025 году, сообщает официальный пресс-релиз подразделения Samsung Semiconductor.


Разработка HBM4 будет завершена к указанному сроку, после чего начнется массовое производство памяти. В новой технологии будут использованы Non-Conductive Film (NCF) и Hybrid Cooper Bonding (HCB), но конкретные спецификации пока не разглашаются.

HBM4, как и предыдущие поколения памяти HBM3 и HBM3E, будет предназначена для ускорителей искусственного интеллекта (ИИ). Благодаря растущему интересу к ИИ, технология памяти с высокой пропускной способностью становится все более популярной. Например, память HBM3 уже используется в графических ускорителях NVIDIA. Ранее SK hynix был лидером в этой области, однако с увеличением спроса на ускорители ИИ NVIDIA потребовались большие объемы памяти, что привело к сотрудничеству с Micron и Samsung.



Samsung планирует выпустить HBM4 к 2025 году, сообщает официальный пресс-релиз подразделения Samsung Semiconductor.
Около минуты