Недавно я уже писал о завершении НИРа по теме «Разработка установки безмасочной рентгеновской нанолитографии на основе МЭМС (микроэлектромеханической системы) динамической маски для формирования наноструктур с размерами от 13 нм и ниже на базе синхротронного и/или плазменного источника», шифр «Рентген-Литограф». Сегодня я коснусь этой темы чуть подробнее. Но сначала немного о проблемах фотошаблонов для обычных EUV-литографов, от чего пытались уйти в бесфотошаблонных. Фотошаблон для EUV-литографов представляет собой отражающую многослойную структуру (как у зеркал), и существуют большие сложности...