133 подписчика
ПАМЯТЬ HBM3 ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ ОБЕСПЕЧИТ ПРОПУСКНУЮ СПОСОБНОСТЬ 1,2 ТБ/С
Опытные образцы уже тестируются компаниями, которые позже будут внедрять память HBM3 Gen 2 в свою продукцию
Компания Micron анонсировала память HBM3 второго поколения, заявив, что она является самой быстрой на текущий момент. Также разработчики уверяют, что новое поколение стало намного эффективнее с точки зрения потребления энергии — в 2,5 раза в пересчёте на ватт по сравнению с HBM3.
Память выйдет в вариантах 24 ГБ и 36 ГБ. Сейчас уже выпущены первые образцы объёмом 24 ГБ, которые продемонстрированы технологическим компаниям. HBM3 Gen 2 обеспечивает на 50% более высокую пропускную способность: 9,2 ГБ/с на один стек и суммарную 1,2 ТБ/с при использовании 1024-битной шины. К сравнению, у HBM3 эти показатели составляют 6,4 ГБ/с и 819 ГБ/с.
Естественно ожидать, что более высокая пропускная способность приведёт к более высоким рабочим температурам. Чтобы избежать негативных последний от перегрева и понизить температуру, в Micron использовали аналогичную технологию 1β (1-бета), что и в оперативной памяти DDR5. Эффективному отводу тепла способствует уменьшенное пространство между слоями DRAM и меньшее число межсоединений (их число стало на 25% меньше, чем в HBM3).
На данный момент выпущены опытные образцы, и когда память HBM3 Gen 2 появится в коммерческих продуктах, неизвестно.
1 минута
29 июля 2023