Найти тему
1335 подписчиков

Разработан самый быстрый электрический двухслойный транзистор для устройств искусственного интеллекта


Инженеры из Национального института материаловедения (NIMS) и Токийского научного университета изготовили самый быстрый электрический двухслойный транзистор. Этот транзистор использует тонкую керамическую пленку с высокой ионной проводимостью и тонкую алмазную пленку, и его скорость работы превосходит все существующие аналоги. Этот транзистор способен имитировать электрический отклик нейронов головного мозга человека, что делает его идеальным для использования в устройствах искусственного интеллекта.

Керамический слой изготовлен из пористого оксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия. Тонкая пленка диоксида циркония обладает способностью быстро заряжаться и разряжаться, а также позволяет ионам водорода легко мигрировать через нее. Это обеспечивает быструю работу транзистора и его способность точно преобразовывать входные сигналы в различные выходные сигналы.

Исследователи подтвердили, что новый транзистор работает в 8,5 раз быстрее, чем существующие аналоги, что является новым мировым рекордом. В сочетании с различными датчиками, такими как смарт-часы, камеры наблюдения и аудиодатчики, устройства на основе нового транзистора смогут предоставить полезные инструменты для обработки информации и анализа данных.

DOI: 10.1016/j.mtadv.2023.100393
Разработан самый быстрый электрический двухслойный транзистор для устройств искусственного интеллекта  Инженеры из Национального института материаловедения (NIMS) и Токийского научного университета...
1 минута