Найти в Дзене
48 тыс подписчиков

Samsung обогнала TSMC по уровню выхода годных 3-нм чипов


Состязание между Samsung и TSMC на рынке контрактного производства полупроводниковых компонентов с технологиями 3 и 4 нм становится все более напряженным. Samsung достигла сравнимых с TSMC показателей по производству годной продукции, сообщает корейская газета Kukmin Ilbo. Технология 4 нм стала для Samsung последним этапом использования транзисторов FinFET, которые впервые появились на норме 16 нм.

Samsung обогнала TSMC по уровню выхода годных 3-нм чипов  Состязание между Samsung и TSMC на рынке контрактного производства полупроводниковых компонентов с технологиями 3 и 4 нм становится все более
Около минуты
448 читали