Параллельное соединение транзисторов позволяет увеличивать ток, который протекает через силовую цепь данного компонента. Но новичкам стоит учитывать такой момент. Полевые и IGBT транзисторы можно подключать параллельно напрямую (без дополнительных элементов), а вот с биполярными транзисторами дело обстоит иначе. Их параллельное соединение должно сопровождаться внедрением в эмиттерную цепь каждого транзистора дополнительного резистора. Дело в том, что простое параллельное соединение таких компонентов сопровождается неравномерным распределением токов. Более того, с увеличением температуры на транзисторах эта неравномерность становится еще больше, в плоть до того, что весь ток может сместиться на один какой-то компонент. В результате, мы пытаемся распределить общий ток по всем транзисторам, а при работе нагрузка ляжет только на один "транзюк". Естественно, он этого чрезмерного тока не выдержит и попросту выгорит из-за перегрева. После этого ток опять сместиться на следующий одни транзистор, он повторит судьбу предыдущего и так далее. Пока не выйдут из строя все биполярные транзисторы в этой параллельной схеме. Когда же мы в эмиттерную цепь транзисторов ставим дополнительные резисторы, то тем самым мы уравновешиваем нашу схему. При увеличении тока на каждом транзисторе резистор, наоборот, заставляет этот компонент призакрыться, уменьшив свой ток. В итоге все транзисторы выходят на сбалансированный режим свой работы. На резисторе должно быть падение напряжение около 1 вольта.