Использование IGBT транзистора целесообразно в тех случаях, когда речь идет о большой мощности. Как известно, пределом возможностей для биполярных транзисторов можно считать напряжение до 3000 вольт и ток до 300 ампер. При этом они нормально могут работать только на низкой частоте. Если говорить о пределах полевых MOSFET транзисторах, то у них потолком возможностей будет напряжение величиной до 1000 вольт и сила тока где-то до 700 ампер. Эти MOSFETы могут хорошо работать на высокой частоте. IGBT транзисторы это гибриды, объединяющие в себе и биполярные и полевые MOSFET транзисторы. Это позволяет получить в одном новом компоненте достоинства и преимущества двух других видов транзисторов. При этом пределы у IGBT транзистора уже будут таковыми – ток они могут коммутировать аж до 25 000 ампер, а по напряжению их максимум может достигать аж 6 000 вольт (в редких случаях они могут выдерживать и до 10 000 V). А поскольку IGBT это смесь биполярника и полевика, то нормально он может работать на средних частотах (обычно где-то до 50 кГц, хотя можно встретить и на 150 кГц). Кроме этого большим плюсом IGBT транзистора является то, что он хорошо может работать при температуре более 100 °C, при этом его характеристики практически не будут меняться. В целом IGBT транзисторы целесообразно использовать в тех случаях, когда в схеме используется напряжение более 500 вольт и рабочий ток должен быть более 10 ампер. На меньших мощностях выгодней все же использовать биполярники и полевики.