Компания IBM анонсировала прорывную технологию производства микросхем NanoStack — первую в мире архитектуру с размером транзисторов менее 1 нанометра (7 ангстрем). На кристалле площадью с ноготь размещено почти 100 миллиардов транзисторов. В ходе лабораторных испытаний прототип показал на 50% более высокую производительность и на 70% лучшую энергоэффективность по сравнению с существующими 2-нм чипами IBM, а также 40% увеличение масштабируемости встроенной памяти SRAM. Коммерческое производство ожидается не ранее чем через пять лет. Вместо дальнейшего горизонтального сжатия транзисторов, которое упирается в физические пределы отдельных атомов, инженеры IBM предложили вертикальное решение. Технология NanoStack размещает транзисторные слои в трехмерной нанолистовой архитектуре, разделяя n- и p-транзисторы на отдельные слои. Это позволяет независимо оптимизировать материалы для каждого типа, почти вдвое увеличивая плотность размещения по сравнению с 2-нм техпроцессом, представленным IBM в
IBM представил рекордный чип со 100 млрд транзисторов на площади менее 1 нм
30 июня30 июн
11,7 тыс
2 мин