Imec показала два прототипа ферроэлектрической памяти, которые могут заменить часть DRAM и NAND в дата-центрах. Работы представили на IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology & Circuits 2026. Главная причина понятна без лабораторного микроскопа. ИИ-центры съедают память быстрее, чем индустрия успевает наращивать выпуск. По оценкам из отрасли, в 2026 году дата-центры забирают почти 70% всей произведённой памяти. Для обычных покупателей это уже пахнет ростом цен на RAM и SSD. Micron ранее предупредила потребительский рынок: облегчения по памяти не стоит ждать до 2028 года. С SSD логика похожая. Высокоплотная NAND тоже уходит туда, где бюджеты измеряют не сборками под Ryzen, а стойками под ускорители ИИ. ❗️ ПОДПИСЫВАЙСЯ НА НАШ КАНАЛ В ДЗЕНЕ И ЧИТАЙ КРУТЫЕ СТАТЬИ БЕСПЛАТНО Imec показала два направления: конденсатор для памяти уровня DRAM и вертикально уложенный транзистор для плотного хранилища в стиле NAND. Оба решения пока живут в лаборатории, но их уже обсуждают не как академическую экзот
Imec приблизила замену DRAM и NAND для ИИ-центров
СегодняСегодня
1
3 мин