Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене

Imec приблизила замену DRAM и NAND для ИИ-центров

Imec показала два прототипа ферроэлектрической памяти, которые могут заменить часть DRAM и NAND в дата-центрах. Работы представили на IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology & Circuits 2026. Главная причина понятна без лабораторного микроскопа. ИИ-центры съедают память быстрее, чем индустрия успевает наращивать выпуск. По оценкам из отрасли, в 2026 году дата-центры забирают почти 70% всей произведённой памяти. Для обычных покупателей это уже пахнет ростом цен на RAM и SSD. Micron ранее предупредила потребительский рынок: облегчения по памяти не стоит ждать до 2028 года. С SSD логика похожая. Высокоплотная NAND тоже уходит туда, где бюджеты измеряют не сборками под Ryzen, а стойками под ускорители ИИ. ❗️ ПОДПИСЫВАЙСЯ НА НАШ КАНАЛ В ДЗЕНЕ И ЧИТАЙ КРУТЫЕ СТАТЬИ БЕСПЛАТНО Imec показала два направления: конденсатор для памяти уровня DRAM и вертикально уложенный транзистор для плотного хранилища в стиле NAND. Оба решения пока живут в лаборатории, но их уже обсуждают не как академическую экзот
Оглавление

Imec показала два прототипа ферроэлектрической памяти, которые могут заменить часть DRAM и NAND в дата-центрах. Работы представили на IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology & Circuits 2026.

Главная причина понятна без лабораторного микроскопа. ИИ-центры съедают память быстрее, чем индустрия успевает наращивать выпуск. По оценкам из отрасли, в 2026 году дата-центры забирают почти 70% всей произведённой памяти. Для обычных покупателей это уже пахнет ростом цен на RAM и SSD.

Micron ранее предупредила потребительский рынок: облегчения по памяти не стоит ждать до 2028 года. С SSD логика похожая. Высокоплотная NAND тоже уходит туда, где бюджеты измеряют не сборками под Ryzen, а стойками под ускорители ИИ.

❗️ ПОДПИСЫВАЙСЯ НА НАШ КАНАЛ В ДЗЕНЕ И ЧИТАЙ КРУТЫЕ СТАТЬИ БЕСПЛАТНО

Ферроэлектрическая память снова стала интересна из-за ИИ

Imec показала два направления: конденсатор для памяти уровня DRAM и вертикально уложенный транзистор для плотного хранилища в стиле NAND. Оба решения пока живут в лаборатории, но их уже обсуждают не как академическую экзотику.

FeRAM придумали ещё в 1952 году. Идея старая, но у неё долго не было достаточного коммерческого давления. Теперь давление появилось. Гиперскейлеры строят ИИ-кластеры на миллиарды долларов, а память стала узким местом рядом с ускорителями.

Первый результат Imec — ферроэлектрический конденсатор с низким рабочим напряжением. Он хорошо держит заряд и выдерживает большое число циклов записи. По задумке, такая ячейка может повторить ключевую функцию современной DRAM: быстро хранить данные рядом с вычислениями.

Для дата-центра это не абстрактная красота. Чем плотнее и дешевле память, тем меньше плат, линий питания и места в стойке. А значит, проще кормить модели, которым постоянно не хватает пропускной способности и объёма.

Второй прототип целится в замену NAND

Вторая работа Imec касается транзистора, который инженеры смогли уложить вертикально. Такой подход нужен для плотного хранилища, похожего по роли на NAND flash, но на другой физике хранения данных.

У вертикальной схемы был неприятный технический хвост — проблемы со стиранием памяти. Imec добавила модификацию back-gate, чтобы убрать этот барьер. Это важная инженерная деталь: без стабильного стирания накопитель не доедет до продукта, даже если красиво выглядит на графиках.

  • Для DRAM: ферроэлектрический конденсатор с низким напряжением и большим ресурсом записи
  • Для NAND: вертикально уложенный транзистор для более плотной компоновки
  • Для индустрии: партнёрская сеть, через которую исследования могут попасть к крупным производителям

Imec не работает в вакууме. Лаборатория делится исследованиями с сотнями партнёров. Среди них Nvidia, ASML, TSMC, Intel, Samsung, Micron, Qualcomm, AMD и Apple. Это не значит, что завтра Nvidia выпустит собственную FeRAM. Но канал от лабораторного прототипа к фабрикам у Imec реально есть.

До серийной памяти ещё далеко

Главное ограничение — стадия проекта. Imec прямо называет эти результаты proof of concept. То есть инженеры доказали работоспособность отдельных идей, но ещё не довели их до массового производства.

❗️ ПОДПИСЫВАЙСЯ НА НАШ КАНАЛ В ДЗЕНЕ И ЧИТАЙ КРУТЫЕ СТАТЬИ БЕСПЛАТНО

Для памяти это особенно жёсткий фильтр. Нужно не только показать ячейку в лаборатории. Нужно добиться выхода годных кристаллов, ресурса, нормальной стоимости и совместимости с производственными линиями. У DRAM и NAND за плечами десятилетия оптимизации.

Maarten Rosmeulen, программный директор Imec, описал задачу так: «Эта работа показывает, как наш опыт в материаловедении и продвинутой 3D-интеграции помогает решать самые острые проблемы памяти. Мы изучаем несколько путей к решениям, которые понадобятся для роста ИИ и приложений с большими объёмами данных».

Для покупателей ПК вывод пока приземлённый. Новая память Imec не спасёт цены на DDR5 и SSD в ближайшем магазине в этом году. Но сама гонка за заменой DRAM и NAND уже вышла из теории: два исследования представили на IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology & Circuits 2026, а Micron ждёт заметного облегчения для потребительского сегмента только к 2028 году.

Подписывайтесь на наши каналы в Telegram и Дзен, чтобы узнавать больше. И делитесь своим мнением и опытом в нашем чате.

Imec приблизила замену DRAM и NAND для ИИ-центров ⚡️