NAND Flash нового поколения от Samsung для SSD предложит более 900 слоев за счет соединения двух стеков. Samsung стремится создать 900–1000+ слойное решение для будущих SSD, используя новые технологии соединения.
NAND Flash нового поколения от Samsung для SSD будет предлагать более 900 слоев, при этом два стека будут соединены вместе для увеличения емкости хранилища.
Samsung намерена соединить два NAND-чипа, создав крупное 900–1000+ слойное решение для хранения данных для будущих SSD
В прошлом месяце мы сообщали, что Samsung работает над 1000-слойным NAND, используя совершенно новые материалы и технологии соединения. На симпозиуме VLSI 2026 Samsung представила свои полные планы по достижению этой цели.
В своем последнем слайде Samsung заявляет о большом спросе на SSD высокой емкости и о работе над ускоренной дорожной картой, ориентированной на увеличение количества слоев, которое может вместить каждый NAND-чип. В настоящее время производители NAND вошли в эру 400-слойных чипов и нацелены на расширение до 1000 слоев для приложений с высокой емкостью примерно к 2030 году.
К 2029 году Samsung планирует достичь 420-слойных NAND-решений, а к 2030 году — более 560 слоев. Затем, в начале следующего десятилетия, Samsung планирует удвоить этот показатель, представив решения с более чем 1000 слоями. Удвоение количества слоев повлечет за собой некоторые недостатки, связанные с деформацией и стоимостью, но Samsung уже работает над их устранением. Производитель NAND заявляет, что успешно реализовал будущую конструкцию с контролем деформации, а новые процессы также обеспечивают усовершенствованную коррекцию наложения, оставляя пространство для дальнейшего улучшения.
Для достижения ошеломляющих 900 слоев V-NAND Samsung пришлось преодолеть несколько препятствий, одним из основных из которых была деформация пластины. Но эта проблема была решена с внедрением конструкции Upper Chuck Design. Другие исправления включали ошибки смещения с использованием технологий коррекции наложения (Overlay Correction).
В настоящее время SK Hynix лидирует в гонке, поскольку первой разработала и предложила технологию 321-слойного NAND. Уже ведется работа над 400-слойным NAND, которая будет достигнута с использованием вертикального соединения (Vertical Bonding) у Samsung и гибридного соединения (Hybrid Bonding) у SK Hynix.
Samsung представляет свое многослойное решение 900/1000-слойного NAND, которое будет вмещать два 450-слойных чипа, каждый из которых соединен с помощью CMB (Cell-Multi Bonding). Доктор Иэн Катресс из MoreThanMoore утверждает, что с таким решением SSD QLC объемом 8 ТБ сможет предложить емкость до 32 ТБ.
В то же время китайская YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) также ускоряет свои планы по NAND. Компания уже предлагает устройства с 294-слойным и 232-слойным NAND и сокращает отставание от зарубежных компаний, таких как Samsung, SK Hynix и Micron. YMTC также вкладывает большие средства в новые фабрики, которые призваны удвоить текущую мощность производства пластин в критический момент, когда рынки сталкиваются со значительным разрывом спроса и предложения из-за гиперцикла ИИ.
Подход с укладкой NAND для достижения 900+ слоев все еще находится на стадии прототипа, но он прокладывает путь для будущего расширения хранилищ. Цель выпуска 1000-слойного V-NAND намечена на 2030 год, а 400+ слойные решения появятся в ближайшие годы.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba