Компания Samsung представила свои первые чипы памяти стандарта UFS 5.0 для смартфонов и других носимых устройств. Помимо ускорения базовых операций чтения и записи, они ориентированы на повышение «отзывчивости» локальных нейросетей.
Главной особенностью UFS 5.0 стала скорость последовательного чтения в 10,8 ГБ/с, которую в компании называют «самой высокой в отрасли». При этом скорость последовательной записи доходит до 9,5 ГБ/с, вдвое превышая аналогичный показатель UFS 4.1. Также заявлено 40-процентное улучшение энергоэффективности по сравнению с предыдущим стандартом.
По утверждению компании, технические нововведения, включая технологии управления тактовой частотой, позволят ускорить отклик при работе с локальными нейросетями. Кроме того, размеры корпуса чипа уменьшились на 16,7% (7,5 x 13 x 0,9 мм), что упрощает их размещение внутри мобильных устройств.
Генеративный искусственный интеллект быстро перемещается из облачных хранилищ на устройства, что приводит к резкому увеличению объёма данных, необходимых для локальной обработки. В результате хранилища данных превращаются из устройств, используемых в основном для хранения информации, в основную инфраструктуру, поддерживающую вычисления с использованием искусственного интеллекта».
Из пресс-релиза Samsung
Начало массового производства модулей памяти UFS 5.0 ожидается в четвёртом квартале 2026 года, а максимальный объём чипа составит 1 ТБ. Какие смартфоны первыми перейдут на новые комплектующие, пока неизвестно.