Процессоры становятся всё мощнее во многом благодаря постоянному уменьшению размера транзисторов, что приводит к увеличению их числа на той же площади. Но бесконечно этот процесс продолжаться не может. Исследователи из Южной Кореи решили выяснить, насколько ещё можно уменьшать транзисторы без потери свойств.
Учёные из Корейского передового института науки и технологий создали компьютерную модель, которая буквально позволяет заглянуть на уровень отдельных атомов и просчитать поведение будущих микросхем. Их интересовал момент, когда электроны начинают «просачиваться» через барьеры внутри транзистора.
Такие утечки приводят к лишнему расходу энергии, нагреву и снижению эффективности чипов. Чтобы понять, как избежать этой проблемы, исследователи изучили сверхтонкий материал — дисульфид молибдена. Его толщина составляет всего один атомный слой, поэтому он считается одним из кандидатов для электроники будущего.
Расчёты показали, что многое зависит от выбранных материалов и конструкции транзистора. В некоторых вариантах он может нормально работать даже при размерах меньше 4 нанометров. Если результаты подтвердятся на практике, это поможет создавать ещё более компактные и энергоэффективные процессоры.