Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене
DigiNews

Оперативная память LLW DRAM перенимает интегрированный дизайн HBM для работы ИИ на смартфонах: обещан рост пропускной способности в 1,5 раза при меньшем нагреве

Слухи о разработке китайскими брендами LLW (Low Latency Wide DRAM) как альтернативы HBM для смартфонов. LLW обещает прирост производительности и снижение энергопотребления. Xiaomi и Huawei могут представить технологию в 2027 году. — wccftech.com Компактные размеры смартфонов затрудняют внедрение высокоскоростной памяти (HBM), не говоря уже о тепловой проблеме, однако, по слухам, китайские производители смартфонов разработали собственную низколатентную широкополосную DRAM (LLW), использующую схожую интегрированную конструкцию, как и упомянутая технология. Хотя эта конструкция не является «настоящей HBM», она призвана решить проблему узкого места производительности, присущую оперативной памяти LPDDR, обеспечивая значительный прирост производительности при меньшем энергопотреблении. Обновление от инсайдера Weibo Fixed-focus digital cameras гласит, что в 2026 году вряд ли стоит ожидать появления более быстрой версии памяти от китайских производителей смартфонов, но вторая половина 2027 год

Слухи о разработке китайскими брендами LLW (Low Latency Wide DRAM) как альтернативы HBM для смартфонов. LLW обещает прирост производительности и снижение энергопотребления. Xiaomi и Huawei могут представить технологию в 2027 году. — wccftech.com

Компактные размеры смартфонов затрудняют внедрение высокоскоростной памяти (HBM), не говоря уже о тепловой проблеме, однако, по слухам, китайские производители смартфонов разработали собственную низколатентную широкополосную DRAM (LLW), использующую схожую интегрированную конструкцию, как и упомянутая технология. Хотя эта конструкция не является «настоящей HBM», она призвана решить проблему узкого места производительности, присущую оперативной памяти LPDDR, обеспечивая значительный прирост производительности при меньшем энергопотреблении.

Свежие слухи сообщают, что китайские производители смартфонов Xiaomi и Huawei планируют представить LLW во второй половине 2027 года

Обновление от инсайдера Weibo Fixed-focus digital cameras гласит, что в 2026 году вряд ли стоит ожидать появления более быстрой версии памяти от китайских производителей смартфонов, но вторая половина 2027 года обещает быть более многообещающей в этом отношении. Поскольку возможности бортового ИИ в смартфонах ограничены из-за отсутствия использования HBM, что невозможно по вышеупомянутым причинам, LLW призвана решить эту проблему.

По слухам, LLW обеспечивает в 1,5 раза большую производительность при снижении энергопотребления на 50 процентов, хотя не уточняется, со стандартом какой памяти сравниваются эти показатели, поэтому мы будем исходить из того, что это LPDDR5X. Хотя чипсеты для смартфонов вполне могут быть оснащены значительно более быстрыми нейронными процессорами (NPU) и флеш-памятью, способной на огромный прирост скорости, аспект DRAM является областью, требующей глубоких инноваций, если смартфоны должны достичь истинной функциональности ИИ на устройстве.

-2

Ранее ходили слухи, что Huawei работает над HBM DRAM для смартфонов, а также сообщалось, что Apple внедрит эту технологию в свой iPhone 20. Что касается разработки специализированной HBM для мобильных устройств, Samsung, похоже, является единственной компанией, стремящейся внедрить эту технологию в массы с использованием сложной упаковки. Однако существуют и другие способы форсировать работу смартфонов для улучшения работы ИИ.

По слухам, Qualcomm сотрудничает с китайскими производителями памяти для внедрения 3D DRAM в свои NPU, чтобы произвести революцию в технологии чипсетов. Появится ли эта реализация своевременно — остается только гадать, но мы продолжим информировать наших читателей о последних новостях, так что следите за обновлениями.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Автор – Omar Sohail

Оригинал статьи