Слухи о разработке китайскими брендами LLW (Low Latency Wide DRAM) как альтернативы HBM для смартфонов. LLW обещает прирост производительности и снижение энергопотребления. Xiaomi и Huawei могут представить технологию в 2027 году. — wccftech.com Компактные размеры смартфонов затрудняют внедрение высокоскоростной памяти (HBM), не говоря уже о тепловой проблеме, однако, по слухам, китайские производители смартфонов разработали собственную низколатентную широкополосную DRAM (LLW), использующую схожую интегрированную конструкцию, как и упомянутая технология. Хотя эта конструкция не является «настоящей HBM», она призвана решить проблему узкого места производительности, присущую оперативной памяти LPDDR, обеспечивая значительный прирост производительности при меньшем энергопотреблении. Обновление от инсайдера Weibo Fixed-focus digital cameras гласит, что в 2026 году вряд ли стоит ожидать появления более быстрой версии памяти от китайских производителей смартфонов, но вторая половина 2027 год
Оперативная память LLW DRAM перенимает интегрированный дизайн HBM для работы ИИ на смартфонах: обещан рост пропускной способности в 1,5 раза при меньшем нагреве
15 июня15 июн
1
2 мин