Добрый день, друзья! Давно у нас копился материал на данную статью.
Все началось еще в прошлом году, в нашу организацию начали массово поступать судебные дела, в которых предметом экспертизы выступали iPhone 15 и 16 разных моделей и памяти, но с несколькими похожими факторами:
1. г. Новокузнецк и его пригород.
2. две вышеуказанные модели.
3. один и тот же дефект на всех.
4. одна и та же организация, делавшая досудебную экспертизу (указывать название организации не будем).
А дефект следующий - "сбой активации". Досудебная экспертиза данные смартфоны вскрывала и осматривала визуально. Вывод у всех случаев один - неисправность материнской платы, производственный дефект.
И мы бы согласились с данными выводами, пока не начали их вскрывать и производить замеры всех линий на предмет соответствия показаний падения напряжений. Приведем пример на последнем исследуемом смартфоне - Iphone 15 (Осторожно, дальше много технических малопонятных терминов).
В результате замеров выявлено следующее:
Несоответствие показаний обнаружено по следующим линиям:
- Линия «PP_UIM1_LDO11_CONN» имеет заниженное падение напряжение (короткое замыкание), эталонное значение по данной линии составляет 0,593v.
- Линия «IO_BB_TO_SIM1_RESET_CONN» имеет падение напряжение 0,0886v, эталонное значение по данной линии составляет 0,438v.
- Линия «IO_BB_BI_SIM1_DATA_CONN» имеет падание напряжения бесконечность (обрыв цепи), эталонное значение по данной линии составляет 0,399v (Приложение 11 Иллюстрация 26).
- Линия «IO_BB_TO_SIM1_CLK_CONN» имеет падение напряжения бесконечность (обрыв цепи), эталонное значение по данной линии составляет 0,396v.
- Линия «IO_BB_FROM_SIM1_DETECT_CONN» имеет падение напряжение 0,9440v, эталонное значение по данной линии составляет 0,622v.
По всем остальным линиям данного коннектора «J_SIM_ARC», падение напряжение в пределах эталонных значений.
Исходя из данных технической документации boardview:
- линия «PP_UIM1_LDO11_CONN» через резистор R11401 по линии «PP_UIM1_LDO11» уходит на микросхему модема U_BB_E ,
- линия «IO_BB_TO_SIM1_RESET_CONN» через резистор R11433 по линии «IO _BB_TO_SIM1_RESET» уходит на микросхему модема U_BB_E,
- линия «IO_BB_BI_SIM1_DATA_CONN» через резистор R11431 по линии «IO_BB_BI_SIM1_DATA» уходит на микросхему модема U_BB_E
- линия «IO_BB_TO_SIM1_CLK_CONN» через резистор R11430 по линии «IO_BB_TO_SIM1_CLK» уходит на микросхему модема U_BB_E,
- линия «O_BB_FROM_SIM1_DETECT_CONN» через резистор R11432 по линии «O_BB_FROM_SIM1_DETECT» уходит на микросхему модема U_BB_E.
Резисторы R11401, R11430, R11431, R11432, R11433 покрыты защитным слоем компаунда . Внешнее состояние компаунда без повреждений. Для дальнейшего исследования компаунд с интересующих компонентов был удален механическим путем.
После того как компаунд был очищен, видно, что резисторы R11430, R11431, R11433 имеют термическое разрушение в виде прогара .
Далее были произведены замеры резисторов R11401, R11430, R11431, R11432, R11433 по линиям которых имеются несоответствие падения напряжения. Исходя из принципиальной схемы:
- резистор R11401 имеет сопротивление 0Ом, в ходе замеров мультиметром сопротивление составило 0.09Ом, что соответствует номиналу.
- Резистор R11430 имеет сопротивление 10Ом, в входе замера мультиметром сопротивление составило бесконечность (обрыв) данный резистор не соответствует номиналу и является неисправным.
- Резистор R11431 имеет сопротивление 10Ом, в ходе замера мультиметром сопротивление составило бесконечность (обрыв), данный резистор не соответствует номиналу и является неисправным.
- Резистор R11432 имеет сопротивление 499Ом, в ходе замера мультиметром сопротивление данного резистора составило 0,4945кОм, что соответствует номиналу.
- Резистор R11433 имеет сопротивление 100Ом, в ходе замера мультиметром сопротивление данного резистора составило 121,26Ом, данный резистор не соответствует номиналу и является неисправным.
Таким образом, несоответствие значений, заниженное сопротивление, а также обрывы по вышеуказанным линиям это следствие неисправности резисторов, а также микросхемы модема (U_BB_E). Неисправность микросхемы модема (U_BB_E) и вызывает сбой активации.
Для выявления причин возникновения выявленных ранее неисправностей, дальнейшая диагностика заключалась в исследовании отдельно гнезда SIM карты (SIM приемник), так как на данной модели iPhone 15 гнездо SIM карты это отдельный блок, соединенный с материнской платой при помощи тонкого гибкого шлейфа .
Так как на SIM приемнике также имеются электронные компоненты защиты по линиям SIM интерфейса . Эти компоненты залиты жестким компаундом (смолой). Данные компоненты - это конденсаторы, и девять защитных двунаправленных стабилитронов, которые выполняют защиту от возможных статических разрядов передающееся через контакты SIM карты, а также микросхема eSim. В данной модификации смартфона Sim + eSim используются только 5 защитных стабилитрона.
- Корпус стабилитрона выполнен из стекла, а контакты для пайки выполнены методом напыления, то при прохождении через защитный стабилитрон повышенного напряжения, контактные площадки отслаиваются и компонент (стабилитрон) разрушается.
Как видно через компаунд вокруг некоторых компонентов имеется отслоение компаунда от основания шлейфа, также возле компонента присутствует шарик припоя. Все это следствие кратковременного мгновенного нагрева компонентов. Для дальнейшего исследования механическим путем был удален компаунд.
Входе удаления компаунда один из стабилитронов рассыпался, так как был разрушен в момент нагрева. Все это указывает о прохождении завышенного напряжения через компоненты.
Отсюда можно сделать вывод, что повышенное напряжение, приведшее к выявленным дефектам в исследуемом смартфоне поступило по линиям SIM приемника.
Поврежденные компоненты резисторы R11430, R11431, R11433 имеют термическое повреждение характерное также при перенапряжении. Поврежденные резисторы выполнены в корпусе SMD и состоят из тонкой пленки (металла, оксида металла или углерода) на диэлектрическом (керамическом) основании.
Термическое разрушение SMD компонентов выглядит в виде небольшого углубления с изменением конструкции. Пленочные SMD-резисторы чаще всего прогорают из-за превышения допустимой мощности рассеивания. Поскольку они имеют крайне малые габариты, их способность отводить тепло ограничена, и любой избыточный ток или всплеск напряжения быстро перегревает резистивный слой.
Основные причины прогорания:
- Электрическая перегрузка: Если через резистор протекает ток выше номинального, выделяемое тепло не успевает рассеиваться. Это приводит к обугливанию резистивного элемента, изменению его номинала (обычно в сторону увеличения) или полному обрыву цепи.
- Импульсные всплески напряжения: Даже кратковременный, но сильный скачок напряжения может вызвать мгновенный локальный перегрев пленки и её испарение, что визуально выглядит как прогар или трещина.
Выявленные дефекты на исследуемом смартфоне Apple Iphone 15, не относятся к производственным дефектам, так как дефекты неисправных компонентов в исследуемом смартфоне - это следствие воздействия завышенного напряжения.
Так что же выходит? Как завышенное напряжение попадает именно в эти смартфоны именно в Новокузнецке?
Мы, как экспертная организация, не беремся искать виновного, это прерогатива суда. Однако, совершенно точно понятно, что это не производственный дефект, а воздействие извне. Как и когда оно туда попало - установить просто невозможно.
Прочитав нашу статью, поделитесь своим мнением и догадками, очень интересно послушать несколько версий происходящего в г. Новокузнецк.