FuriosaAI и Broadcom сотрудничают для создания высокопроизводительного ускорителя ИИ с памятью HBM4/E. Ускоритель FuriosaAI нового поколения использует чиплетную архитектуру 2 нм и поддержку HBM4/E для массивных кластеров ИИ. Анонсировано третье поколение ускорителя, основанное на платформе RNGD 2-го поколения. — wccftech.com FuriosaAI и Broadcom объединили усилия для создания высокопроизводительного чипа-ускорителя искусственного интеллекта с использованием памяти HBM4/E нового поколения. FuriosaAI анонсировала ускоритель ИИ третьего поколения, который базируется на платформе RNGD второго поколения, находящейся в серийном производстве по техпроцессу 5 нм от TSMC. Платформа ИИ RNGD второго поколения представляет собой решение на базе PCIe мощностью 180 Вт, ориентированное на рабочие нагрузки LLM и агентного ИИ. Решение нового поколения полностью сосредоточится на сегменте инференса ИИ, поскольку спрос на агентный ИИ продолжает расти. Основные особенности ускорителя ИИ третьего поколени
FuriosaAI отказывается от GPU: новый 2-нм чип для инференса от Broadcom с памятью HBM4/E превосходит по пропускной способности топовые GPU
27 мая27 мая
8
3 мин