Наименование прибора: CS2N65A4HY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 31 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
1N60A23H HJ X0G0JJ
Наименование прибора: 1N60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 11 Ohm