Разработка приближает индустрию к появлению 1000-слойных чипов памяти и способна изменить подход к производству SSD и других накопителей. Прототип построен на технологии Cell Multi-Bonding: вместо создания единой гигантской структуры Samsung объединяет два отдельных блока по 450 слоев в один чип. Как правило, разработка подобных микросхем сопровождается серьезными инженерными трудностями. При увеличении количества слоев пластины деформируются, и совместить элементы внутри чипа становится труднее. Для решения этих задач Samsung применила новую конструкцию Upper Chuck Design и систему коррекции наложения слоев Overlay Correction. @Медиа «Комьюнити»
Samsung анонсировала прототип 900-слойного чипа V-NAND нового поколения
Разработка приближает индустрию к появлению 1000-слойных чипов памяти и способна изменить подход к производству SSD и других накопителей.
Прототип построен на технологии Cell Multi-Bonding: вместо создания единой гигантской структуры Samsung объединяет два отдельных блока по 450 слоев в один чип.
Как правило, разработка подобных микросхем сопровождается серьезными инженерными трудностями. При увеличении количества слоев пластины деформируются, и совместить элементы внутри чипа становится труднее. Для решения этих задач Samsung применила новую конструкцию Upper Chuck Design и систему коррекции наложения слоев Overlay Correction.
