До недавнего времени SK Hynix считалась лидером в сегменте многослойной NAND-памяти со своим 321-слойным чипом. Но накануне Samsung представила прототип, превосходящий этот показатель почти втрое. В сети уже появились первые подробности о новой технологии.
По данным ETNews, компания создала экспериментальный 900-слойный чип памяти V-NAND, совместив две пластины по 450 слоёв при помощи технологии Cell Multi-Bonding (CMB). Ожидается, что благодаря ей вскоре начнётся массовое производство SSD высокой ёмкости.
Источник сообщает, что на этапе разработки Samsung столкнулась с двумя основными проблемами: деформацией пластин и ошибкой наложения слоёв. После их решения вендору удалось снизить энергопотребление и повысить производительность при сохранении компактных размеров чипа.
Сообщается, что Samsung готовится к массовому производству 400-слойных чипов десятого поколения. В этой «гонке» также участвует китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC), которая уже научилась делать 232- и 294-слойные чипы.
Когда именно новые NAND-чипы Samsung поступят в массовое производство и как это скажется на цене накопителей, пока неизвестно.